近日，位于上海交通大学无锡光子芯片研究院内的国内首条光子芯片中试线迎来重磅时刻，无锡光量子芯片中试平台顺利下线首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆，同时超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片也实现规模化量产。

作为一种高性能光电材料，薄膜铌酸锂具备超快电光效应、宽带宽、低功耗等优势，在5G通信、量子计算等领域展现出巨大潜力。无锡光量子芯片中试平台的“投产”，不仅标志着研究院构建起贯通“技术研发-工艺验证-规模量产”的全链条能力，更意味着我国自主可控的量子科技国际竞争力进一步提升。

达产后，无锡光量子芯片中试平台将具备年产1.2万片薄膜铌酸锂晶圆的量产能力。未来平台将与更多产业链上下游企业合作，加速科技成果转化落地，推动我国光子芯片核心器件从技术研发向产业化应用的实质性跨越。